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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:三溫區(qū)PECVD石墨烯制備

  • 產(chǎn)品型號(hào):CY-PECVD50-1200-Q
  • 產(chǎn)品廠商:成越科儀
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
三溫區(qū)PECVD廣泛用于石墨烯制備,顆粒包覆等科學(xué)實(shí)驗(yàn)上
詳情介紹:

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。


三溫區(qū)PECVD應(yīng)用范圍:

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域

 三溫區(qū)PECVD技術(shù)參數(shù): 


產(chǎn)品名稱

三溫區(qū)PECVD

產(chǎn)品型號(hào)

CY-PECVD50-1200-Q

三溫區(qū)管式爐

工作溫度:0-1100℃

控溫精度:±1℃

控溫方式:AI-PID 30段工藝曲線,可存儲(chǔ)多條

爐管材質(zhì):高純石英

爐管尺寸:φ50mm I.D x 1400mm L

加熱溫區(qū):三溫區(qū) 200mm+200mm+200mm

密封方式:不銹鋼真空法蘭

極限真空度:4.4E-3Pa

射頻電源

輸出功率:0-300W zui大可調(diào)±1%

RF頻率: 13.56MHz,穩(wěn)定性±0.005%

噪聲:≤55DB

冷卻:風(fēng)冷

質(zhì)量流量計(jì)

三路質(zhì)量流量計(jì)

閥門類型:不銹鋼針閥

氣路數(shù)量:三路

承壓范圍:-0.15Mpa~0.15Mpa

量程

1~200 SCCM

1~200 SCCM

1~500 SCCM

流量控制范圍:±1.5%

氣路材料:304不銹鋼

管道接口:6.35mm卡套接頭

真空系統(tǒng)

配有一套分子泵系統(tǒng),采用一鍵式操作

600L/S

水冷系統(tǒng)

CW-3200

電壓

220V 50HZ

 

豫公網(wǎng)安備 41019702002438號(hào)

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