本設備為單靶磁控鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。

本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設置帶擋板的石英觀察窗，便于實驗的觀察記錄；腔體設計真空性能優(yōu)良，造型小巧，十分適合實驗室使用。同時設備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機采用模塊化設計，操作邏輯簡單，操作界面直觀，利于上手。

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	桌面型不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號	CY-MSZ254-I-DC-SS
樣品臺	外形尺寸	φ100mm
	加熱溫度	≦500℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	≦20rpm
磁控靶槍	配一支兩英寸磁控靶，靶材尺寸:直徑50.8mm，厚度≦3mm
真空腔體	腔體尺寸	φ254mm X 300mm
	觀察窗口	前置式
	腔體材料	304不銹鋼
	開啟方式	上蓋拆卸式與前開啟式
真空系統(tǒng)	前級泵	低噪音雙極旋片泵
	分子泵	低噪音大抽速渦輪分子泵
	真空測量	復合真空計，量程:10-5~105Pa
	抽氣接口	KF16
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF16
	系統(tǒng)真空	1.0×10-4Pa
	供電電源	AC 220V 50/60Hz
	抽氣速率	分子泵抽速600L/s，前級泵抽速1.1L/s
電源配置	電源數(shù)量	直流電源一套
	輸出功率	直流電源300W
其他參數(shù)	供電電壓	AC220V,50Hz
	整機功率	2kW
	整機尺寸	550mm X 350mm X450mm